技術編號：6937629
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種提高納米硅/二氧化硅發(fā)光器件發(fā)光強度的方 法，尤其是一種利用有序納米圖形襯底提高納米硅/二氧化硅多層膜 發(fā)光器件發(fā)光強度的方法，屬于半導體發(fā)光器件。 背景技術硅基半導體是現(xiàn)代微電子產業(yè)的基石，隨著微電子工藝技術的不 斷發(fā)展，器件的尺寸日益縮小，現(xiàn)已進入到納米量級。因而研究硅基 納米材料的制備、性能與器件應用已成為當前國際上的前沿與熱點課 題。另一方面，隨著尺寸的不斷縮小，雖然邏輯開關速度得到了量級的提高，但是，受到RC時延的限制，使得單機運算...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。