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      摻氮的碳化硅薄膜的形成方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號:6938900

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      本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,特別涉及一種。 背景技術(shù)在超大規(guī)模集成電路工藝中,有著熱穩(wěn)定性、抗?jié)裥缘亩趸枰恢笔墙饘倩ミB 線路間使用的主要介質(zhì)材料,金屬鋁則是芯片中電路互連導(dǎo)線的主要材料。然而,相對于元 件的微型化及集成度的增加,電路中導(dǎo)體連線數(shù)目不斷的增多,使得導(dǎo)體連線架構(gòu)中的電 阻(R)及電容(C)所產(chǎn)生的寄生效應(yīng),造成了嚴重的傳輸延遲(RC Delay),在130納米及更 先進的技術(shù)中成為電路中訊號傳輸速度受限的主要因素。因此,在降低導(dǎo)線電阻方面,由...
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