技術編號：6950925
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本公開內(nèi)容總體涉及高壓器件結(jié)構的領域。 背景技術高壓場效應晶體管(HVFET)在半導體領域是廣為人知的。許多HVFET采用了包括 擴展漏極區(qū)的器件結(jié)構，所述擴展漏極區(qū)在器件位于“截止”狀態(tài)時承受或“阻塞”所施加的 高電壓(例如，200伏或更大)。此類HVFET通常用于功率轉(zhuǎn)換設備，諸如用于離線式電源、 電機控制等的AC/DC轉(zhuǎn)換器。這些器件可以在高電壓上切換，并在截止狀態(tài)實現(xiàn)高阻塞電 壓，而在“導通”狀態(tài)最小化對電流的阻抗。典型的HVFET的擴展漏極區(qū)通常...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。