技術(shù)編號(hào)：6956214
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制備方法，特別涉及CMOS器件中接觸孔的制備方法。背景技術(shù)在傳統(tǒng)的MOS晶體管工藝中，通常采用多晶硅作為柵極材料，但隨著器件的幾何尺寸不斷縮小，由于多晶硅柵極/柵氧化層厚度減小帶來(lái)高的柵 漏電流。目前器件的特征尺寸已進(jìn)入32納米節(jié)點(diǎn)，在這種尺度下，已提出的解決方案是采用高K介質(zhì)/金屬柵 (HKMG)結(jié)構(gòu)代替柵氧化層/多晶硅柵極結(jié)構(gòu)。據(jù)htel報(bào)道，采用高K電介質(zhì)材料后，其柵漏電流降為原來(lái)的十分之一。目前來(lái)看，高K介質(zhì)/金屬柵結(jié)構(gòu)的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。