技術(shù)編號：6958269
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種AI2O3-ZnO納米棒陣列復(fù)合電極的制備方法本發(fā)明屬于納米材料，特別是提供了一種通過引入氧化鋁保護(hù)層來提高 氧化鋅電極在進(jìn)行染料敏化過程中的抗酸腐蝕性的方法，涉及一種高穩(wěn)定性的染料敏化太 陽能電池陽極的制備方法。背景技術(shù)近年來，ZnO納米材料以其優(yōu)異的性能，在納米結(jié)構(gòu)器件領(lǐng)域備受研究者關(guān)注。在 紫外發(fā)光器件、場發(fā)射器件、壓電轉(zhuǎn)換器、傳感器等方面有廣闊的應(yīng)用前景。(M. H. Huang， S. Mao, H. Feick, H. Q. Yan, Y....
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。