技術(shù)編號(hào):6960921
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種MOS晶體管的制造方法。 背景技術(shù)隨著集成電路向超大規(guī)模集成電路發(fā)展,集成電路內(nèi)部的電路密度越來(lái)越大,所包含的元件數(shù)量也越來(lái)越多。隨著半導(dǎo)體集成電路的進(jìn)一步發(fā)展,半導(dǎo)體元件的尺寸也隨之減小,MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)包括三個(gè)主要區(qū)域源極(source)、漏極(drain)和柵電極 (gate)。其中源極和漏極是通過(guò)高摻雜形成的,根據(jù)器件類型不同,可分為η型摻雜(NMOS) 和P型摻雜(PMOS)。在器件按比例縮小的過(guò)程中,漏...
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