技術(shù)編號：6987099
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及一種RF-LDMOS器件結(jié)構(gòu)，具體涉及一種無外延層的RF-LDMOS器件結(jié)構(gòu)，屬于半導體。背景技術(shù)RF-LDMOS (lateral double-diffused metal-oxide semiconductor，橫向擴散金屬氧化物半導體)能實現(xiàn)高增益和高的擊穿電壓，被廣泛的用于射頻、微波領(lǐng)域的功率放大器。RF-LDMOS的襯底通常作為導電層，源端通過襯底從背面的金屬背板引出。通常使用高摻雜的襯底，能夠?qū)崿F(xiàn)高的電導率，從而降低源端的連線電...
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