技術(shù)編號(hào)：6989200
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明的各實(shí)施例總體上涉及一種用于原子層淀積的裝置和方法。更具體地說，本發(fā)明的一些實(shí)施例涉及一種改良的用于原子層淀積的裝置和方法。相關(guān)技術(shù)說明可靠地生產(chǎn)亞微米和更小部件是用于下一代半導(dǎo)體器件超大規(guī)模集成電路(VLSI)和特大規(guī)模集成電路(ULSI)的關(guān)鍵技術(shù)之一。然而，當(dāng)電路技術(shù)的條紋受擠壓時(shí)，收縮VLSI和ULSI技術(shù)中互連線的尺寸已把一些附加的要求放在加工能力上。是這種技術(shù)心臟的多層互連要求精密加工高縱橫比的形體，如孔洞和其它互連線?？?..
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。