技術(shù)編號：6989977
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體光學器件及其制造方法，更具體地說，涉及一種高質(zhì)量非極性/半極性半導體器件及其制造方法。在所述高質(zhì)量非極性/半極性半導體器件中，非極性/半極性氮化物半導體晶體形成在能夠生長非極性/半極性氮化物半導體層的藍寶石晶面上，從而在氮化物半導體層中不會發(fā)生在極性氮化物半導體層中產(chǎn)生的壓電效應(yīng)。另夕卜，模板層形成在沿預(yù)定方向傾斜的藍寶石晶面的相應(yīng)的軸外(off-axis)，以減小半導體器件的缺陷密度，并提高其內(nèi)部量子效率和光提取效率。背景技術(shù)因為諸如...
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