技術(shù)編號：6991097
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明 主要涉及晶體管，更特定地，涉及擊穿電壓提高的雙極晶體管和其中的結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)在電場開始從原子撕扯電子之前，半導(dǎo)體材料具有其能夠承受的最大場強，因此導(dǎo)致?lián)舸?，使得材料變成?dǎo)電的，或許導(dǎo)致永久損壞。制備摻雜區(qū)域以形成半導(dǎo)體器件改變了電場梯度在材料中的存在形式，且可以改變擊穿電壓。非常需要降低出現(xiàn)的擊穿電壓的減小量。發(fā)明概要根據(jù)本發(fā)明的方面，提供ー種雙極晶體管，其包括發(fā)射極區(qū)、基極區(qū)和集電極區(qū)，以及環(huán)繞該基極區(qū)的保護(hù)區(qū)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種用于...
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