技術(shù)編號(hào)：6991655
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 背景技術(shù)納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)包括納米線的摻雜的部分，該部分接觸溝道區(qū)域并且充當(dāng)器件的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。使用離子注入以摻雜小直徑納米線的之前制造方法可能導(dǎo)致納米線的不期望的非晶化或不期望的結(jié)摻雜分布。發(fā)明內(nèi)容在本發(fā)明的一個(gè)方面中，提供了一種用于形成納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)器件的方法，包括在半導(dǎo)體襯底上形成納米線；在納米線的第一部分上形成第一柵極結(jié)構(gòu)；形成與第一柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁相鄰并且在納米線的從第一柵極結(jié)構(gòu)延...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。