技術編號：6993391
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種絕緣體上硅(SOI)器件，尤其涉及一種基于絕緣體上硅的射頻LDMOS晶體管結構，屬于半導體器件領域。背景技術隨著器件的等比例縮小，CMOS器件的頻率、噪聲等性能持續(xù)改善，但其功率性能退化卻成為一個日益嚴重的問題，擊穿電壓低和功率性能差成為了限制CMOS技術在射頻功率領域內(nèi)廣泛應用的主要因素。功率MOS器件正好彌補了常規(guī)CMOS器件功率性能的不足，它具有優(yōu)良的射頻功率性能，如線性動態(tài)范圍大、線性增益高、輸出功率大、功率密度高、便于器件內(nèi)部形成輸...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。