技術(shù)編號：6994153
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及ー種雙層柵MOS結(jié)構(gòu)的制備方法。背景技術(shù)雙層柵MOS結(jié)構(gòu)，為ー種常用的功率MOS器件?，F(xiàn)有通用的雙層柵MOS結(jié)構(gòu)的エ藝流程為先在襯底上生長溝槽刻蝕的硬掩膜層，通常為ー層或兩層氧化硅層；而后光刻定義溝槽的位置，接著刻蝕形成溝槽；之后在溝槽內(nèi)壁生長氧化層； 接著淀積第一層多晶硅填充溝槽，之后對第一層多晶硅進行第一次刻蝕，去除位于溝槽上的第一層多晶娃;而后光刻保護部分第一層多晶硅(即用于作為第一層多晶硅連接的部分)，進行第一層多晶硅的第二步刻蝕，至溝槽...
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