技術(shù)編號：7000146
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及功率器件領(lǐng)域中的IGBT (絕緣柵雙極晶體管)制造方法，特別涉及一種具有場截止構(gòu)造的非穿通型溝槽IGBT制造方法。背景技術(shù)IGBT即絕緣柵雙極晶體管是一種由MOSFET (場效應(yīng)晶體管)與雙極晶體管復(fù)合的器件。它包括一個NMOS場效應(yīng)管和由該NMOS場效應(yīng)管驅(qū)動的一個PNP雙極晶體管；或者包括一個PMOS場效應(yīng)管和由該P(yáng)MOS場效應(yīng)管驅(qū)動的一個NPN雙極晶體管，NMOS場效應(yīng)管或者PMOS場效應(yīng)管包括發(fā)射電極、柵電極和硅基片體區(qū)，PNP雙極晶體管...
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