技術(shù)編號(hào):7002730
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝,尤其涉及利用PVD(Physical Vapor Deposition,物理氣相沉積)濺射進(jìn)行成膜的方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中,隨著半導(dǎo)體電子設(shè)備朝著緊密化的迅速發(fā)展,要求更高精度的加工處理。在這樣的精細(xì)工藝中,尤其是在薄膜形成工序中,一般是利用濺射法來(lái)進(jìn)行成膜。通常,所謂的濺射法是指,在真空氣氛中通過(guò)引起氣體放電而產(chǎn)生等離子體,使該等離子體的陽(yáng)離子碰撞到在被稱作為濺射電極的負(fù)極上設(shè)置的靶材(或者濺射靶材)上,通過(guò)該碰撞,濺...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。