技術(shù)編號：7006248
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體技木，尤其涉及ー種金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。背景技術(shù)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(Metal Oxide Semiconductor Transistor)是以金屬氧化物半導(dǎo)體層作為主動層的晶體管。相較于以非晶硅薄膜作為主動層的非晶硅薄膜晶體管，金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管具有較高的載子遷移率(Mobility)。而相較于以低溫多晶硅作為主動層的低溫多晶硅薄膜晶體管，金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制程較為簡單，而且金屬氧化物半導(dǎo)體層具有較好的均勻性，使得金...
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