技術(shù)編號(hào)：7013716
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。具有雙軸向氣體注入和排放的等離子體處理室背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體特征尺寸不斷變小，努力使半導(dǎo)體制造工藝跟上步伐。制造工藝中的一種類型涉及暴露半導(dǎo)體晶片于等離子體或其他形式的反應(yīng)氣體以在晶片上沉積材料，或從晶片上去除材料。更小的特征尺寸，要求更精確的材料沉積和蝕刻的控制，而這又需要對(duì)如何將晶片暴露于等離子體/反應(yīng)氣體進(jìn)行更精確的控制。這些更精確的控制要求可包括在整個(gè)晶片的等離子體的均勻性的更精確的控制，跨過晶片的等離子體密度的更精確的控制，和/或?qū)Ρ┞督o晶片的等離...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。