技術(shù)編號：7025167
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型公開一種近紅外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)，在襯底層上依次生長第一型電流擴(kuò)展層、第一型限制層、有源層、第二型限制層及第二型電流擴(kuò)展層；第二型電流擴(kuò)展層由第一組成部分及第二組成部分組成，在第一組成部分和第二組成部分之間形成具有漫反射效果的接觸界面。本實(shí)用新型采用該外延生長工藝形成具有漫反射作用的電流擴(kuò)展層的外延結(jié)構(gòu)，明顯地提高了外量子效率，使得近紅外發(fā)光二極管能達(dá)到更大功率。專利說明一種近紅外發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)[0001]本實(shí)用新型涉及一種近紅外發(fā)光二極...
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