技術(shù)編號(hào)：7027562
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型所述的LED外延結(jié)構(gòu)，N型GaN層采用周期性的梯度摻雜結(jié)構(gòu)，交替設(shè)置的摻雜Si的GaN和不摻雜的GaN層可以在不摻雜的GaN層聚集電子，形成高密度的二維電子氣，從而有效增加載流子濃度和遷移率；更重要的是，設(shè)置在多量子阱層上的U型的超晶格層與N型GaN層之間形成多結(jié)電容結(jié)構(gòu)，能有效增強(qiáng)載流子的橫向擴(kuò)展能力，擴(kuò)大流入多量子阱層的電流分布面積，有效降低LED的驅(qū)動(dòng)電壓。專利說明—種LED外延結(jié)構(gòu)[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種能降低LED...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。