技術(shù)編號：7039751
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種提高壓電極化強度的新型HEMT，本發(fā)明方法在含有AlN隔離層的AlGaN/AlN/GaN結(jié)構(gòu)HEMT基礎上，在GaN層下面插入了InGaN層，形成AlxGa1-xN/AlN/GaN/InyGa1-yN結(jié)構(gòu)的HEMT。AlGaN、GaN之間，GaN、InGaN之間分別形成溝道，由于極化效應產(chǎn)生的2DEG在溝道中。插入了InGaN層，GaN/InGaN結(jié)構(gòu)中GaN的晶格常數(shù)小于InN的晶格常數(shù)，使得GaN晶格應變，由應變產(chǎn)生的壓電極化強于AlG...
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