技術(shù)編號：7042421
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種。該晶體管包括襯底、柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極；柵極于襯底上形成，柵絕緣層覆蓋柵極和襯底，有源層于柵絕緣層上形成，與柵極對應(yīng)，源極和漏極分別覆蓋有源層的兩端；有源層為摻X和Y的氧化鋅基非晶氧化物半導體，隨著與柵絕緣層距離的增大，X的含量逐漸降低，Y的含量逐漸升高，其中，X為Cd、In、Sn、Sb、Ti、Pb和As中的一種，Y為Ga、Al、Hf、Ge、Ca和Cu中的一種。本發(fā)明能有效提高器件的遷移率和工作電流，減小器件的閾值電壓漂移，...
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