技術編號：7048802
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明的課題在于在將氧化物半導體層用作溝道層的晶體管中，減少特性的不均勻，并且還減少氧化物半導體層和源電極層及漏電極層之間的接觸電阻。在使用氧化物半導體設置溝道層的晶體管中，至少使用非晶結構設置氧化物半導體層的區(qū)域中的位于源電極層和漏電極層之間且形成有溝道的區(qū)域，并且使用結晶結構設置氧化物半導體層的區(qū)域中的與源電極層及漏電極層等的外部電連接的區(qū)域。專利說明[0001] 本申請是2010年2月4日提交的、發(fā)明名稱為""、 國家申請?zhí)枮?01010113241...
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