技術編號：7049593
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及異質結發(fā)光二極管。一種用于形成發(fā)光器件的方法包括在單晶襯底上形成III-V單晶發(fā)射層以及在所述發(fā)射層上形成第一摻雜層。在所述第一摻雜層上沉積第一接觸。通過機械方法從所述發(fā)射層去除所述單晶襯底。在所述發(fā)射層的去除所述襯底的一側上形成第二摻雜層。所述第二摻雜層具有與所述第一摻雜層相反的摻雜劑導電性。在所述第二摻雜層上沉積第二接觸。專利說明異質結發(fā)光二極管 [0001] 本發(fā)明涉及異質結器件，更具體地說，涉及具有減少缺陷可能性的經濟性的發(fā)光 二極...
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