技術(shù)編號(hào)：7052142
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。柔性高陷光性徑向結(jié)異質(zhì)結(jié)高效晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法，1)采用厚度80～500um，電阻率0.1～1000Ω·cm的晶體硅片作為襯底；2)先在晶體硅襯底上制作太陽(yáng)電池正面結(jié)構(gòu)或半成品正面結(jié)構(gòu)；3)保護(hù)好已制作的正面結(jié)構(gòu)從背面減薄襯底在已制作的太陽(yáng)電池正面結(jié)構(gòu)或半成品正面結(jié)構(gòu)上制作100nm～100um的保護(hù)層或同時(shí)在背面也制作邊框保護(hù)，將晶體硅襯底從背面減薄至5～50um；去除保護(hù)層或同時(shí)包括背面邊框保護(hù)層；4)制作背面結(jié)構(gòu)在背面淀積異質(zhì)結(jié)硅基鈍化層2～1...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。