技術編號：7053802
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。以下公開的實施方案涉及用于半導體制造設備的清洗設備、以及使用其制造半導體器件的方法。背景技術近年來，已經積極地開發(fā)了具有在襯底上以此次序形成的GaN層和AlGaN層以使用GaN層作為電子傳輸層的電子器件(化合物半導體器件)。GaN-基高電子遷移率晶體管(HEMT)為該化合物半導體器件中的一種。使用在AlGaN和GaN的異質界面處形成的密集的二維電子氣(2DEG)用于GaN-基HEMT。 GaN的帶隙為3. 4eV，其大于Si的帶隙(I. IeV)和GaAs...
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