技術(shù)編號(hào):7058499
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi),包括以下步驟步驟一,外延結(jié)構(gòu)與襯底之間設(shè)置犧牲層,犧牲層由交替生長(zhǎng)的AlInP/AlAs多層結(jié)構(gòu)組成;步驟二,采用化學(xué)腐蝕液蝕刻和剝離犧牲層。本發(fā)明可以提高外延結(jié)構(gòu)與襯底的剝離速率,且解決剝離時(shí)外延結(jié)構(gòu)容易破損的問(wèn)題。專利說(shuō)明 [0001]本發(fā)明涉及光電,特別提供了。 背景技術(shù) [0002]光電的發(fā)展日新月異,其中,三結(jié)砷化鎵太陽(yáng)能電池的吸收范圍覆蓋太陽(yáng)光大部分波段,是當(dāng)前所有太陽(yáng)能電池中轉(zhuǎn)換效率最高。發(fā)光二極管(LED)由于其低功耗...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。