技術(shù)編號：7058914
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了一種，所述至少包括下列步驟對基底執(zhí)行熱氧化操作和熱處理操作，以形成具有穩(wěn)定和均勻的目標(biāo)厚度的二氧化硅柵氧化層；通過等離子體氮化技術(shù)對所述二氧化硅柵氧化層進(jìn)行氮的注入，使二氧化硅中的部分氧原子由氮原子取代形成硅-氮鍵，從而將所述二氧化硅柵氧化層調(diào)整為具有一定氮濃度的硅氧氮化合物柵氧化層；通過低熱預(yù)算的尖峰退火技術(shù)對所述硅氧氮化合物柵氧化層進(jìn)行快速熱退火處理，以修復(fù)晶格損傷并形成穩(wěn)定硅-氮鍵。采用本發(fā)明的能夠解決現(xiàn)有技術(shù)的PNA高溫退火工藝中的不足...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。