技術(shù)編號(hào)：7060624
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種，包括置于半導(dǎo)體基體中的光電二極管區(qū)，電荷傳輸晶體管，復(fù)位晶體管，源跟隨晶體管，選擇晶體管，還包括設(shè)于光電二極管區(qū)外圍的多晶硅環(huán)和薄氧化層環(huán)、晶體管電容器件、N型離子區(qū)。多晶硅環(huán)為高電平時(shí)在光電二極管區(qū)感應(yīng)出電場(chǎng)，為低電平時(shí)不感應(yīng)出電場(chǎng)，光電二極管區(qū)的積分時(shí)間為多晶硅環(huán)高電平時(shí)間；晶體管電容器件位于N型離子區(qū)中，晶體管電容用來(lái)存儲(chǔ)光電二極管區(qū)收集到的光電電荷，適用于全局曝光方式的圖像傳感器。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及一種圖像傳感...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。