技術編號：7070353
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體元件。背景技術作為上下電極構造的半導體元件的例子，有上下電極構造的功率MOSFET (MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)。該種功率 MOSFET 的導通電阻較大地依存于作為傳導層的漂移層的電阻。決定漂移層電阻的雜質的摻雜濃度，對應于基區(qū)和漂 移層所形成的Pn結的耐壓而不能増加到界限以上。因此，元件耐壓和導通電阻存在權衡(trade-off)的關系。改善該權衡對于低消耗電カ元件變...
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