技術(shù)編號(hào)：7100880
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管技 術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及ー種具有石墨烯納米帶異質(zhì)結(jié)構(gòu)的隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管。背景技術(shù)隨著互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)尺寸縮小日益達(dá)到技術(shù)的極限，需要新的器件結(jié)構(gòu)進(jìn)一步提升芯片的性能。隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管利用隧穿效應(yīng)進(jìn)行電荷的傳輸，可以突破傳統(tǒng)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的亞閾值斜率(SS)的極限60meV/deCade。除此之外，隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管還具有低的驅(qū)動(dòng)電壓、高的開關(guān)比等優(yōu)點(diǎn)，成為新一代半導(dǎo)體器件的有力競(jìng)爭(zhēng)者[I]。隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般采取非...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。