技術(shù)編號：7103949
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及相變隨機(jī)存取存儲器(PRAM)，更特別涉及。背景技術(shù)通常,相變隨機(jī)存取存儲器(PRAM)通過向由硫族(chalcogenide)化合物形成的相變層施加電脈沖利用非晶態(tài)和晶態(tài)之間的電阻差異來存儲數(shù)據(jù)。相變層的非晶態(tài)是通過施加高電流以使相變物質(zhì)的溫度升高超過熔點(diǎn)并隨后進(jìn)行即時冷卻得到的。相變層的晶態(tài)是通過在非晶態(tài)中施加低電流并經(jīng)過生長過程而產(chǎn)生晶核得到的。在此，在相變隨機(jī)存取存儲器中，雖然從非晶態(tài)到晶態(tài)的轉(zhuǎn)變是容易實(shí)現(xiàn)的，但是從晶態(tài)到非晶態(tài)的轉(zhuǎn)變要消...
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