技術(shù)編號(hào)：7107199
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種溝槽頂部傾斜角形成的工藝方法，特別是涉及一種。背景技術(shù)針對(duì)在RFLDM0S (射頻橫向擴(kuò)散型金屬氧化場(chǎng)效應(yīng)管)厚場(chǎng)氧隔離介質(zhì)層工藝中， 通過深溝槽刻蝕形成單晶硅溝槽的等間隔排列，然后通過熱氧化過程把等間隔排列的單晶硅溝槽部份氧化成二氧化硅，然后填入二氧化硅或多晶硅，從而形成大面積的厚場(chǎng)氧隔離介質(zhì)層。為了控制硅片的應(yīng)力，垂直的深溝槽可以有效的降低應(yīng)力，由于后續(xù)是在溝槽內(nèi)填入二氧化硅或多晶硅，因此，尖銳的深溝槽頂部輪廓在后續(xù)氧化膜生長完后，深溝槽...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。