技術(shù)編號：71137
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種非易失性內(nèi)存的測試電路與方法，且特別涉及一種具有陷阱層(trapping)的非易失性內(nèi)存的可靠性測試(qualification test)方法與電路。 背景技術(shù)非易失性內(nèi)存(non-volatile memory)，例如閃存(Flash)，一般目前使用的柵極結(jié)構(gòu)具有控制柵極與浮置柵極，其中控制柵極用來接收控制存儲單元動作的電壓，浮置柵極則用來儲存電荷。在此種架構(gòu)下，因為浮置柵極是如多晶硅所制成的導(dǎo)體，因此對存儲單元進(jìn)行程序化時，被注入到浮置柵極的電子會均勻分布于浮置柵極中。故而此種具有浮置...
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