技術(shù)編號：7132174
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體材料，涉及一種硅材料，具體地說是一種把非晶硅轉(zhuǎn)化成多晶硅的方法。背景技術(shù)目前，制備多晶硅薄膜技術(shù)按照生長環(huán)境主要分為以下幾種，即預(yù)沉積法(as-deposited)，固相晶化法(SPC)，金屬誘導(dǎo)法(MIC)，脈沖快速熱燒結(jié)法(PRTA)和準(zhǔn)分子激光晶化法(ELA)。預(yù)沉積法通常是由低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)設(shè)備直接生長。在約630℃高溫下，SiH4發(fā)生熱分解淀積成多晶硅。此方法生長的多晶硅粒度較小，生長溫度較高，不適宜在玻璃上生長。固...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。