技術(shù)編號：7142641
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體組件，特別是關(guān)于一種用于鈦硅化物制造工藝窗口的P型金屬氧化物半導(dǎo)體(pMOS)的制作方法。背景技術(shù) 半導(dǎo)體工業(yè)已進(jìn)階至超大型集成電路(ULSI)，且其維度已經(jīng)縮小到次微米，甚至納米的尺寸。隨著組件尺寸的縮小，其代價為寄生效應(yīng)將導(dǎo)致RC延遲及增加源極與漏極串聯(lián)電阻。熱載子為降低組件性能的其它重點(diǎn)，現(xiàn)有技術(shù)說明借助一離子布植法以高劑量氮摻雜入多晶硅化金屬柵極及硅基材，將改善深次微米組件的性能。為增加操作速度，自行對準(zhǔn)金屬硅化物(salicide...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。