技術(shù)編號(hào)：7145920
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及，具體涉及具有溝槽柵極的。背景技術(shù)半導(dǎo)體裝置可用作決定諸如家用電器的各種電子裝置質(zhì)量的主要構(gòu)件。由于電子裝置大容量、多功能和/或小型化趨勢(shì)的增加，具有改進(jìn)的可靠性和其它特性的半導(dǎo)體裝置的需求增加。因此，已經(jīng)提出了各種技術(shù)來改善半導(dǎo)體裝置的特性。DMOS代表雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體，其中擴(kuò)散用于形成晶體管區(qū)域。DMOS結(jié)構(gòu)能使晶體管甚至在對(duì)其施加低的柵極電壓時(shí)具有快的開關(guān)特性，并且維持高的電流。因此，DMOS結(jié)構(gòu)廣泛用于實(shí)現(xiàn)高電壓功率裝置...
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