技術(shù)編號(hào)：7146868
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，具體而言，涉及提供光刻膠去除技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造方法及所用的制造設(shè)備。背景技術(shù)在一個(gè)示例常規(guī)工藝中，在襯底上施加光刻膠并且對(duì)其進(jìn)行圖案化，使得襯底的一些區(qū)域被暴露出來。然后，用摻雜物注入暴露出來的區(qū)域。然而，注入工藝可能使光刻膠層的外部發(fā)生化學(xué)變化，使得外部包括具有單碳鍵的韌性聚合物。光刻膠層的發(fā)生化學(xué)變化的外部可能使光刻膠層更難用常規(guī)技術(shù)去除掉。一種常規(guī)技術(shù)包括使用等離子體灰化工藝和濕式清潔以去除光刻膠。等離子體灰化工藝產(chǎn)生來自光...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。