技術編號：7150650
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明總體上涉及半導體器件，特別是半導體電容器構造及形成半導體電容器的方法，特別是用于形成動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)單元結構及包含有DRAM單元結構的集成電路。背景技術 集成電路的連續(xù)致密化和小型化已使得只有很小的面積可為半導體存儲器件所用。例如，在制造高密度動態(tài)隨機存取存儲器單元(DRAM)時，只有很小的面積用于存儲單元的貯存節(jié)點(電容器)。然而，電容器必須至少具有一最小存儲電容以確保存儲單元的工作。也需要增大的存儲以使器件能夠以更快的速率執(zhí)行更多的...
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