技術(shù)編號(hào)：7156305
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制作技術(shù)，特別涉及一種制作鰭式場(chǎng)效應(yīng)管(FinFET)的翅片結(jié)構(gòu)方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體器件的性能穩(wěn)步提高。半導(dǎo)體器件的性能提高主要通過不斷縮小半導(dǎo)體器件的特征尺寸來實(shí)現(xiàn)，半導(dǎo)體器件的特征尺寸已經(jīng)縮小到納米級(jí)另IJ。半導(dǎo)體器件在這種特征尺寸下，傳統(tǒng)平面制作半導(dǎo)體器件的方法，也就是單柵半導(dǎo)體器件的制作方法已經(jīng)無法適用了，所以出現(xiàn)了多柵半導(dǎo)體器件的制作方法。與單柵半導(dǎo)體器件的制作方法相比較，多柵半導(dǎo)體器件具有更強(qiáng)的短溝道...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。