技術(shù)編號(hào)：7158512
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種金屬柵極結(jié)構(gòu)及其工藝，尤其涉及一種以氮化鋁鈦金屬層作為阻障層及部分功函數(shù)金屬層的金屬柵極結(jié)構(gòu)及其工藝。背景技術(shù)在已知半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，多晶硅廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體元件如金氧半導(dǎo)體(metal-oxide-semiconductor,M0S)晶體管中，作為標(biāo)準(zhǔn)的柵極填充材料選擇。然而，隨著MOS晶體管尺寸持續(xù)地微縮,傳統(tǒng)多晶娃柵極因硼穿透(boron penetration)效應(yīng)導(dǎo)致元件效能降低，及其難以避免的空乏效應(yīng)(depletion effect...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。