技術(shù)編號：7160633
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。電阻式存儲器 本發(fā)明涉及半導體結(jié)構(gòu)， 且特別是有關(guān)于一種電阻式非揮發(fā)性存儲器。背景技術(shù)目前，非揮發(fā)性存儲器是以快閃式存儲器(Flash)為主流，但隨著元件不斷微縮， 快閃式存儲器面臨柵極穿透氧化層過薄導致記憶時間縮短，以及操作電壓過大等缺點。因此，各種不同型態(tài)的非揮發(fā)性存儲器正積極的被研發(fā)以取代快閃式存儲器，其中電阻式非揮發(fā)性存儲器(Resistive Random Access Memory,RRAM)通過電阻值的改變來達到記憶效應(yīng)，并利用其非揮發(fā)的特性...
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