技術(shù)編號：7162025
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及在半導(dǎo)體工藝中的材料層中形成亞光刻(sublithographic)開口的方法。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體工藝的材料層形成光刻開口的方法在本領(lǐng)域是眾所周知的。光刻開口是半導(dǎo)體工藝中該工藝所能產(chǎn)生的最小特征尺寸。由此，例如在0.13微米工藝中，工藝可以產(chǎn)生的最小開口或特征尺寸將是0.13微米尺寸的開口，這將成為該工藝的光刻特征。亞光刻開口將具有比該光刻工藝可以產(chǎn)生的最小特征尺寸更小的尺度。由此，在0.13微米工藝中任何具有小于0.13微米尺度的開口將成為0...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。