技術(shù)編號：7164801
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造中一種電容的制造方法，特別涉及。背景技術(shù)隨著將標(biāo)準(zhǔn)的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)應(yīng)用于模擬與射頻互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(RFCMOS)集成電路領(lǐng)域中的趨勢，越來越多的被動組件應(yīng)運(yùn)而生。電容器是集成電路中的重要組成單元，廣泛運(yùn)用于存儲器，微波，射頻，智能卡，高壓和濾波等芯片中。在芯片中廣為采用的電容器構(gòu)造是平行于硅片襯底的金屬-絕緣體-金屬(MIM)。其中金屬是制作工藝易與金屬互連工藝相兼容的銅、鋁等，絕緣體則是氮化硅、...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。