技術(shù)編號：7168705
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及被形成于半導體晶圓等被處理體的被圖案化了的抗蝕劑膜等含碳薄膜的寬度減小(slimming)方法及氧化裝置。背景技術(shù)通常，為了制造半導體集成電路而對由硅基板等構(gòu)成的半導體晶圓進行成膜處理、蝕刻處理、氧化處理、擴散處理、改性處理、自然氧化膜的除去處理等各種處理。利用專利文獻I等所公開的立式的、所謂的批量式的熱處理裝置來進行這些處理時，首先，將半導體晶圓從能夠收容多張、例如25張左右半導體晶圓的盒(cassette)向立式的晶圓舟皿移載，多層地支承在該...
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