技術(shù)編號：7205590
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明實施方式大致與在襯底上制造電子裝置的處理相關(guān)，更明確地，是關(guān)于監(jiān) 控電子裝置制造過程中的處理參數(shù)。背景技術(shù)更快速、功能更強大的集成電路(IC)的需求對IC制造技術(shù)而言是一項新的挑戰(zhàn)， 包括在襯底(如，半導(dǎo)體晶片)上必須蝕刻出高深寬比的特征結(jié)構(gòu)(例如，溝槽及通孔)。 舉例而言，用于某些動態(tài)隨機存取內(nèi)存應(yīng)用中的深溝槽儲存結(jié)構(gòu)需要在半導(dǎo)體襯底中蝕刻 出較深的深寬比溝槽。深的硅溝槽蝕刻通常是在反應(yīng)性離子蝕刻(reactive ion etching, RIE...
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