技術(shù)編號(hào)：7210287
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明各實(shí)施例涉及在襯底中注入離子以形成離子注入?yún)^(qū)。背景技術(shù)離子注入?yún)^(qū)形成在襯底上以改變襯底區(qū)域材料的能帶間隙級(jí)。例如，將硼離子、磷離子、砷離子和其他材料注入硅或復(fù)合半導(dǎo)體材料中以形成半導(dǎo)體區(qū)域。在另一實(shí)例，離子被注入到包含石英、III族或V族化合物(例如砷化鎵)的襯底中，以形成太陽(yáng)能電池板的光伏電池(photovoltaic cell)。又一實(shí)例中，離子被注入到包含氮化鎵的襯底，以形成顯示面板的發(fā)光二極體(LED)。然而，在某些離子注入制程中，很大比例的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。