技術(shù)編號(hào)：7213131
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，尤其是一種SCR防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)。 背景技術(shù)靜電對(duì)于電子產(chǎn)品的傷害一直是不易解決的問題，當(dāng)今流行的工藝技 術(shù)是使用SCR (可控硅結(jié)構(gòu))作為ESD (靜電放電)保護(hù)器件，如圖1所示， 現(xiàn)有的SCR防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括P型襯底6，在所述P型襯底6上包括有 N阱注入?yún)^(qū)4和P阱注入?yún)^(qū)5;在所述N阱注入?yún)^(qū)4內(nèi)包括有一個(gè)P型注入 區(qū)8和一個(gè)N型注入?yún)^(qū)9以及隔開二者的一個(gè)場(chǎng)氧化層隔離區(qū)10;在所述 P阱注入?yún)^(qū)5也包括有一個(gè)P型注入?yún)^(qū)2和一個(gè)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。