技術(shù)編號(hào)：7213699
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體器件的方法，更具體涉及制造存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔的方法。背景技術(shù) 由于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)器件的設(shè)計(jì)規(guī)則已經(jīng)減小，用作掩模以形成接觸孔的光刻膠層的厚度也已經(jīng)減少。因此，在實(shí)施蝕刻過程期間缺少光刻膠層。最近，利用硬掩模來形成接觸孔以克服這種限制。在DRAM的電容器形成過程中的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔的蝕刻過程中，主要利用多晶硅層來形成硬掩模。連接存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔下部中形成的沉陷(landing)塞與電容器存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞填充存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。