技術(shù)編號(hào)：7214099
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及磁阻效應(yīng)元件，特別涉及在磁頭或存儲(chǔ)器等器件中使用的、在保持高M(jìn)R比的同時(shí)將磁致伸縮常數(shù)抑制為較小的磁阻效應(yīng)元件。背景技術(shù) 磁阻效應(yīng)元件使用在作為非易失性存儲(chǔ)器而公知的MRAM(磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器)和磁頭及磁傳感器等上。該磁阻效應(yīng)元件基本上具有包括固定強(qiáng)磁性層/阻擋層/自由強(qiáng)磁性層的三層構(gòu)造的膜構(gòu)造。在兩個(gè)強(qiáng)磁性層間流過電流時(shí)，電阻在兩個(gè)強(qiáng)磁性層的磁化為平行于層的相同的方向時(shí)較小(Rp)，在為平行于層的相反的方向時(shí)較大(RA)。表示兩個(gè)強(qiáng)磁性層的磁化方...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。