技術(shù)編號(hào)：7221355
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。用于形成氧氮化物層的方法和系統(tǒng)5 相關(guān)申請(qǐng)交叉引用本申請(qǐng)是以2005年3月30日提交的美國專利申請(qǐng)No. 11/093260為基石出，并要求其優(yōu)先權(quán)。10 本發(fā)明一般性地涉及適于制造電子器件的方法和系統(tǒng)以及用于電子器 件的材料。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明一般性地提供了一種在襯底上制備氧氮化物膜的方法。將所述 15 襯底的表面暴露于氧自由基以在該表面上形成氧化物膜，所述氧自由基通 過第一處理氣體的紫外(UV)輻射誘導(dǎo)解離而形成，所述第一處理氣體 包含至少一種包含氧的分子...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。